QS8K11TCR
QS8K11TCR
Número de pieza:
QS8K11TCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19591 Pieces
Ficha de datos:
QS8K11TCR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 3.5A, 10V
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:QS8K11TCRTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:QS8K11TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.3nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:-
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A
Email:[email protected]

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