AUIRF7343Q
AUIRF7343Q
Número de pieza:
AUIRF7343Q
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18392 Pieces
Ficha de datos:
AUIRF7343Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 4.7A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC
Otros nombres:SP001517318
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AUIRF7343Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A, 3.4A
Email:sales@bychips.com

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