AUIRF7341QTR
AUIRF7341QTR
Número de pieza:
AUIRF7341QTR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15501 Pieces
Ficha de datos:
AUIRF7341QTR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 5.1A, 10V
Potencia - Max:2.4W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SP001515768
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:AUIRF7341QTR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:780pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.1A
Email:[email protected]

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