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AUIRF7341Q
- Número de pieza:
- AUIRF7341Q
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18773 Pieces
- Ficha de datos:
- AUIRF7341Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para AUIRF7341Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para AUIRF7341Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Potencia - Max: | 2.4W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SP001520152 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | AUIRF7341Q |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 780pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A |
| Email: | [email protected] |
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