Comprar IPG16N10S461ATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía
IPG16N10S461ATMA1
- Número de pieza:
- IPG16N10S461ATMA1
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17333 Pieces
- Ficha de datos:
- IPG16N10S461ATMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPG16N10S461ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPG16N10S461ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 9µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-TDSON-8-4 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 61 mOhm @ 16A, 10V |
| Potencia - Max: | 29W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | SP000892972 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IPG16N10S461ATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IPG16N10S461ATMA1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Investigación |
 |
SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | Investigación |
 |
FDS9933 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC | Investigación |
 |
CPH5617-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 | Investigación |
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Investigación |
|
IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Investigación |
 |
STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO | Investigación |
 |
HP8K22TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET | Investigación |
 |
VMM1000-01P | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI | Investigación |
|
SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | Investigación |
 |
IRF7350PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC | Investigación |
|
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog