QS8J4TR
QS8J4TR
Número de pieza:
QS8J4TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13960 Pieces
Ficha de datos:
1.QS8J4TR.pdf2.QS8J4TR.pdf3.QS8J4TR.pdf4.QS8J4TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:56 mOhm @ 4A, 10V
Potencia - Max:550mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:QS8J4TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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