IRF7756TR
Número de pieza:
IRF7756TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17000 Pieces
Ficha de datos:
IRF7756TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7756TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A
Email:[email protected]

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