IRF7759L2TRPBF
IRF7759L2TRPBF
Número de pieza:
IRF7759L2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17885 Pieces
Ficha de datos:
IRF7759L2TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET L8
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 mOhm @ 96A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric L8
Otros nombres:IRF7759L2TRPBF-ND
IRF7759L2TRPBFTR
SP001563710
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF7759L2TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12222pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Ta), 375A (Tc)
Email:[email protected]

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