IRF7752TR
Número de pieza:
IRF7752TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19560 Pieces
Ficha de datos:
IRF7752TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 4.6A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7752TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:861pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A
Email:[email protected]

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