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ALD1110EPAL
- Número de pieza:
- ALD1110EPAL
- Fabricante:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12119 Pieces
- Ficha de datos:
- ALD1110EPAL.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ALD1110EPAL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ALD1110EPAL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.01V @ 1µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-PDIP |
| Serie: | EPAD® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 500 Ohm @ 5V |
| Potencia - Max: | 600mW |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | ALD1110EPAL |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 10V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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