PSMN6R3-120PS
PSMN6R3-120PS
Número de pieza:
PSMN6R3-120PS
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16405 Pieces
Ficha de datos:
PSMN6R3-120PS.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PSMN6R3-120PS, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PSMN6R3-120PS por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar PSMN6R3-120PS con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6.7 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):405W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:1727-1060
568-10168-5
568-10168-5-ND
934067189127
PSMN6R3120PS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:PSMN6R3-120PS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11384pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:207.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:120V
Descripción:MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios