SPD18P06P
SPD18P06P
Número de pieza:
SPD18P06P
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12291 Pieces
Ficha de datos:
SPD18P06P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:130 mOhm @ 13.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):80W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP000077440
SPD18P06P-ND
SPD18P06PINTR
SPD18P06PXT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPD18P06P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18.6A (Tc)
Email:[email protected]

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