FDZ661PZ
FDZ661PZ
Número de pieza:
FDZ661PZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16021 Pieces
Ficha de datos:
FDZ661PZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-WLCSP (0.80x0.80)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:140 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-XFBGA, WLCSP
Otros nombres:FDZ661PZ-ND
FDZ661PZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDZ661PZ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:555pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.80x0.80)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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