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PSMN6R3-120ESQ
- Número de pieza:
- PSMN6R3-120ESQ
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13855 Pieces
- Ficha de datos:
- PSMN6R3-120ESQ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PSMN6R3-120ESQ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PSMN6R3-120ESQ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I2PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 405W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | 1727-1508 568-10988-5 568-10988-5-ND 934067856127 PSMN6R3-120ESQ-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PSMN6R3-120ESQ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11384pF @ 60V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 207.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 120V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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