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PSMN165-200K,518
- Número de pieza:
- PSMN165-200K,518
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19882 Pieces
- Ficha de datos:
- PSMN165-200K,518.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PSMN165-200K,518, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PSMN165-200K,518 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 165 mOhm @ 2.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.5W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | 934056597518 PSMN165-200K /T3 PSMN165-200K /T3-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PSMN165-200K,518 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1330pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 2.9A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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