PMDT670UPE,115
PMDT670UPE,115
Número de pieza:
PMDT670UPE,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12936 Pieces
Ficha de datos:
PMDT670UPE,115.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMDT670UPE,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMDT670UPE,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar PMDT670UPE,115 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SOT-666
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Potencia - Max:330mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:1727-1334-2
568-10767-2
568-10767-2-ND
934065734115
PMDT670UPE,115-ND
PMDT670UPE115
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PMDT670UPE,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:87pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.14nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 550mA 330mW Surface Mount SOT-666
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:550mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios