SI1023X-T1-GE3
SI1023X-T1-GE3
Número de pieza:
SI1023X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15275 Pieces
Ficha de datos:
SI1023X-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:450mV @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Potencia - Max:250mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:SI1023X-T1-GE3TR
SI1023XT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI1023X-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:370mA
Email:[email protected]

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