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HP8S36TB
- Número de pieza:
- HP8S36TB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17099 Pieces
- Ficha de datos:
- HP8S36TB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HP8S36TB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HP8S36TB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-HSOP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 32A, 10V |
| Potencia - Max: | 29W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | HP8S36TBTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | HP8S36TB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6100pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A, 80A |
| Email: | [email protected] |
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