QH8KA1TCR
QH8KA1TCR
Número de pieza:
QH8KA1TCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
30V NCH+NCH POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13153 Pieces
Ficha de datos:
QH8KA1TCR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:73 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max:2.4W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:QH8KA1TCRTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:QH8KA1TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:125pf @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:-
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:30V NCH+NCH POWER MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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