QH8KA4TCR
QH8KA4TCR
Número de pieza:
QH8KA4TCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16728 Pieces
Ficha de datos:
QH8KA4TCR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 7A, 4.5V
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:QH8KA4TCRTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:QH8KA4TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:-
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 1.5W Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A
Email:[email protected]

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