APTM120A80FT1G
Número de pieza:
APTM120A80FT1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14671 Pieces
Ficha de datos:
1.APTM120A80FT1G.pdf2.APTM120A80FT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:960 mOhm @ 12A, 10V
Potencia - Max:357W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APTM120A80FT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6696pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:260nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A
Email:[email protected]

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