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PHN210,118
- Número de pieza:
- PHN210,118
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14600 Pieces
- Ficha de datos:
- PHN210,118.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PHN210,118, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PHN210,118 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.8V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | 934033430118 PHN210 /T3 PHN210 /T3-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PHN210,118 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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