STS8C5H30L
STS8C5H30L
Número de pieza:
STS8C5H30L
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19348 Pieces
Ficha de datos:
STS8C5H30L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 4A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:497-4398-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STS8C5H30L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:857pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 5.4A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A, 5.4A
Email:[email protected]

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