NTLUD3A260PZTBG
NTLUD3A260PZTBG
Número de pieza:
NTLUD3A260PZTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18704 Pieces
Ficha de datos:
NTLUD3A260PZTBG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-UDFN (1.6x1.6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 2A, 4.5V
Potencia - Max:500mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UFDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTLUD3A260PZTBG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

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