Comprar NTLUD3191PZTBG con BYCHPS
Compre con garantía
NTLUD3191PZTBG
- Número de pieza:
- NTLUD3191PZTBG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13709 Pieces
- Ficha de datos:
- NTLUD3191PZTBG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTLUD3191PZTBG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTLUD3191PZTBG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-UDFN (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTLUD3191PZTBG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 160pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.1A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTLUD3191PZTBG
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLUD3A260PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | Investigación |
|
NTLUD3191PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN | Investigación |
 |
IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | Investigación |
|
NTLUD3A260PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | Investigación |
 |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 | Investigación |
 |
STS4C3F60L | STMicroelectronics | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC | Investigación |
 |
IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Investigación |
 |
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | Investigación |
 |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 | Investigación |
 |
APTM10HM09FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | Investigación |
|
NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN | Investigación |
|
NTLUD3A50PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog