NDP6030PL
Número de pieza:
NDP6030PL
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 30A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12304 Pieces
Ficha de datos:
1.NDP6030PL.pdf2.NDP6030PL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo):75W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NDP6030PL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 30A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 30A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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