NDP603AL
Número de pieza:
NDP603AL
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12555 Pieces
Ficha de datos:
1.NDP603AL.pdf2.NDP603AL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NDP603AL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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