MMSF7P03HDR2
Número de pieza:
MMSF7P03HDR2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13839 Pieces
Ficha de datos:
MMSF7P03HDR2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MMSF7P03HDR2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:75.8nC @ 6V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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