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IPAN60R650CEXKSA1
- Número de pieza:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Descripción:
- MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19561 Pieces
- Ficha de datos:
- IPAN60R650CEXKSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPAN60R650CEXKSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPAN60R650CEXKSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO220 Full Pack |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 28W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | SP001508816 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | - |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IPAN60R650CEXKSA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Super Junction |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 9.9A (Tc) 28W (Tc) PG-TO220 Full Pack |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET NCH 600V 9.9A TO220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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