AOI442
AOI442
Número de pieza:
AOI442
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 7A TO251A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18946 Pieces
Ficha de datos:
1.AOI442.pdf2.AOI442.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.7V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251A
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 60W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOI442
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 7A (Ta), 37A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Through Hole TO-251A
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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