Comprar SPD07N60C3T con BYCHPS
Compre con garantía
SPD07N60C3T
- Número de pieza:
- SPD07N60C3T
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14471 Pieces
- Ficha de datos:
- SPD07N60C3T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SPD07N60C3T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SPD07N60C3T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 83W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | SP000013730 SPD07N60C3XTINTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SPD07N60C3T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SPD07N60C3T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Investigación |
 |
SPD07N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | Investigación |
|
SPD07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Investigación |
|
SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | Investigación |
 |
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | Investigación |
 |
SIR876DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | Investigación |
|
SPD07N60S5T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Investigación |
 |
FDP12N50NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 | Investigación |
 |
STV160NF03LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | Investigación |
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog