Comprar IPAN65R650CEXKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 210µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO220 Full Pack |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 28W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
Otros nombres: | SP001508828 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPAN65R650CEXKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Super Junction |
Descripción ampliada: | N-Channel 650V 10.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
Descripción: | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |