SQ3425EV-T1_GE3
Número de pieza:
SQ3425EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17369 Pieces
Ficha de datos:
SQ3425EV-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:SQ3425EV-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQ3425EV-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 7.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.4A (Tc)
Email:[email protected]

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