IXTT48P20P
IXTT48P20P
Número de pieza:
IXTT48P20P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18604 Pieces
Ficha de datos:
IXTT48P20P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:PolarP™
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo):462W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTT48P20P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 200V 48A (Tc) 462W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

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