BSR316PH6327XTSA1
Número de pieza:
BSR316PH6327XTSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16728 Pieces
Ficha de datos:
BSR316PH6327XTSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 170µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SC-59
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.8 Ohm @ 360mA, 10V
La disipación de energía (máximo):500mW (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:BSR316PH6327XTSA1-ND
BSR316PH6327XTSA1TR
SP001101034
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSR316PH6327XTSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:360mA (Ta)
Email:[email protected]

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