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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTT1N450HV
IXTT1N450HV
IXTT1N450HV
Número de pieza:
IXTT1N450HV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19112 Pieces
Ficha de datos:
IXTT1N450HV.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:85 Ohm @ 50mA, 10V
La disipación de energía (máximo):520W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTT1N450HV
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 4500V (4.5kV) 1A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:4500V (4.5kV)
Descripción:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

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