español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV
Número de pieza:
IXTT1N300P3HV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16211 Pieces
Ficha de datos:
IXTT1N300P3HV.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTT1N300P3HV, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTT1N300P3HV por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTT1N300P3HV con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:50 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):195W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTT1N300P3HV
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:895pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 3000V (3kV) 1A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:3000V (3kV)
Descripción:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTT1N300P3HV

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 Investigación
IXTT1N450HV Image IXTT1N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 Investigación
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 Investigación
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 Investigación
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 Investigación
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Investigación
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Investigación
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 Investigación
IXTT16N10D2 Image IXTT16N10D2 IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Investigación
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 Investigación
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 Investigación
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 Investigación
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 Investigación
IXTT10N100D Image IXTT10N100D IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Investigación
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV Investigación
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Investigación
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 Investigación
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 Investigación
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 Investigación
IXTT100N25P Image IXTT100N25P IXYS MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 Investigación

Latest Noticias