IXTT12N150HV
IXTT12N150HV
Número de pieza:
IXTT12N150HV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19662 Pieces
Ficha de datos:
IXTT12N150HV.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTT12N150HV, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTT12N150HV por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTT12N150HV con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:-
La disipación de energía (máximo):890W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTT12N150HV
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3720pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:106nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1500V (1.5kV) 12A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1500V (1.5kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios