Comprar IXTI12N50P con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-263 |
Serie: | Polar™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 500 mOhm @ 6A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 200W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IXTI12N50P |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1830pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-263 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |