SSM3J114TU(T5L,T)
SSM3J114TU(T5L,T)
Número de pieza:
SSM3J114TU(T5L,T)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14547 Pieces
Ficha de datos:
1.SSM3J114TU(T5L,T).pdf2.SSM3J114TU(T5L,T).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:UFM
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:149 mOhm @ 600mA, 4V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:3-SMD, Flat Leads
Otros nombres:SSM3J114TU(T5LT)DKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SSM3J114TU(T5L,T)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:331pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.7nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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