SSM3J133TU,LF
SSM3J133TU,LF
Número de pieza:
SSM3J133TU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5.5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14492 Pieces
Ficha de datos:
SSM3J133TU,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:UFM
Serie:U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs:29.8 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-SMD, Flat Leads
Otros nombres:SSM3J133TU,LF(B
SSM3J133TU,LF(T
SSM3J133TULFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:SSM3J133TU,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 5.5A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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