FQPF9N25CYDTU
FQPF9N25CYDTU
Número de pieza:
FQPF9N25CYDTU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15622 Pieces
Ficha de datos:
FQPF9N25CYDTU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:430 mOhm @ 4.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):38W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQPF9N25CYDTU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.8A (Tc)
Email:[email protected]

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