IXKC19N60C5
Número de pieza:
IXKC19N60C5
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17814 Pieces
Ficha de datos:
IXKC19N60C5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 1.1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOPLUS220™
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:ISOPLUS220™
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXKC19N60C5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 19A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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