Comprar IPI80P04P405AKSA1 con BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3-1 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 125W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | SP000652620 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IPI80P04P405AKSA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 151nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET P-CH TO262-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |