IXFX62N25
IXFX62N25
Número de pieza:
IXFX62N25
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13405 Pieces
Ficha de datos:
IXFX62N25.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 31A, 10V
La disipación de energía (máximo):390W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFX62N25
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 62A (Tc) 390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:62A (Tc)
Email:[email protected]

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