IXFX64N60Q3
IXFX64N60Q3
Número de pieza:
IXFX64N60Q3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17653 Pieces
Ficha de datos:
IXFX64N60Q3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:95 mOhm @ 32A, 10V
La disipación de energía (máximo):1250W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFX64N60Q3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9930pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:190nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 64A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

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