IPI200N25N3 G
IPI200N25N3 G
Número de pieza:
IPI200N25N3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19683 Pieces
Ficha de datos:
IPI200N25N3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 270µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 64A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:IPI200N25N3G
IPI200N25N3GAKSA1
SP000714308
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPI200N25N3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7100pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

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