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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFX27N80Q
IXFX27N80Q
IXFX27N80Q
Número de pieza:
IXFX27N80Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15461 Pieces
Ficha de datos:
IXFX27N80Q.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:320 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFX27N80Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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