IXFX21N100F
IXFX21N100F
Número de pieza:
IXFX21N100F
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19483 Pieces
Ficha de datos:
IXFX21N100F.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerRF™
RDS (Max) @Id, Vgs:500 mOhm @ 10.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFX21N100F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

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