Comprar IXFX25N90 con BYCHPS
Compre con garantía
IXFX25N90
- Número de pieza:
- IXFX25N90
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15666 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFX25N90.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFX25N90, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFX25N90 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PLUS247™-3 |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 330 mOhm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 560W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXFX25N90 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 900V 25A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFX25N90
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX220N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3 | Investigación |
|
IXFX26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX21N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3 | Investigación |
|
IXFX27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX250N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFX21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers